Comprar BSM10GD120DN2 de Infineon en Peru

Marca	Infineon
Producto	BSM10GD120DN2
Descripción	Transistor
Código interno	ONR532962
Peso	1
Especificación técnica	Configuración: Puente completo Máximo. Tensión colector-emisor VCEO: 1200 V Voltaje de saturación colector-emisor: 2.7 V Colector DC a 25 °C: 15 A Corriente de fuga puerta-emisor: 120 nA Dp - Disipación de energía: 80 W Paquete/cubierta: EconoPack 2 Temperatura mínima de trabajo: - 40 °C Temperatura máxima de trabajo: + 150 °C Embalaje: bandeja Marca: Infineon Technologies Altura: 17 mm Longitud: 107,5 mm Tensión máxima de compuerta-emisor: 20 V Estilo de montaje: montaje en chasis Tipo de producto: módulos IGBT Subcategoría: IGBT Tecnología: Sí Anchura: 45,5 mm Alias del número de pieza: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Peso unitario: 180 g

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El BSM10GD120DN2 está diseñado para proporcionar un rendimiento óptimo y durabilidad en diversas aplicaciones. Conocido por su construcción de alta calidad y características innovadoras, es la elección preferida por los profesionales.

Características principales de BSM10GD120DN2 :

Alto rendimiento: Diseñado para ofrecer resultados excepcionales.
Construcción duradera: Fabricado con materiales de alta calidad para un uso prolongado.
Diseño innovador: Incorpora la última tecnología para una mayor eficiencia.
Costo efectivo: Ofrece un gran valor por su dinero con precios competitivos.

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Aviso Importante: Aunque suministramos productos de Infineon, Onrion LLC no es un distribuidor autorizado. Todos los derechos están reservados por los fabricantes y sus socios oficiales.