Marca | Infineon |
Producto | FP75R12KT4 |
Descripción | Módulo de silicio IGBT |
Código interno | ONR4672783 |
Especificación técnica | Configuración: trifásica Tensión máxima del colector y emisor VCEO: 1200 V Voltaje de saturación del colector-emisor: 2.25 V Corriente de colector continua a 25 C: 150 A Corriente de fuga de compuerta y emisor: 100 nA Pd - Disipación de potencia: 385 W |
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Características principales de FP75R12KT4 :
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HIGH POWER SINGLE SWITCH IGBT
No compatible con RoHS *
IGBT MODULE
IGBT MODULE
FZ1200R16KFZ - unknown product
transistor 1200A:1600V
IGBT
Módulo IGBT
FZ800R12KL4C replaced by FZ1200R12HE4NPSA1
Módulo IGBT
(Diodo)
retransmitir
Power Factor Correction
transistor
Módulo IGBT
TRANSISTOR DE ENERGÍA
KTY11-6PTC (ARTIK URETILMIYOR/OBSOLETE)
termistor
Ixys: Fase de control de tiristores
powerblock
RoHS*
diodo
tiristor
tiristor