| Marca | Infineon |
| Producto | FP75R12KT4 |
| Descripción | Módulo de silicio IGBT |
| Código interno | IMP4672783 |
| Especificación técnica | Configuración: trifásica Tensión máxima del colector y emisor VCEO: 1200 V Voltaje de saturación del colector-emisor: 2.25 V Corriente de colector continua a 25 C: 150 A Corriente de fuga de compuerta y emisor: 100 nA Pd - Disipación de potencia: 385 W |
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TRİSTÖR T718N16TOCMOD 12 NO
tiristor
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Módulo tiristor de control de fase
RoHS
TLE4267 G 400mA
TLE4270 G 650mA
RoHS-compliant* T&R
Módulo Tiristores
Thyristor oder Transistor.
MÓDULO TRISTAR
Block Double Thyristor
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Módulo semiconductor discreto
TIRISTOR
Módulos de semiconductores discretos 1200V 410A DUAL
Módulo semiconductor discreto
Material original (REF: 183575) Thyristor / 16S9
THYRISTOR